[发明专利]淀积碳的微波增强化学气相淀积方法无效
| 申请号： | 88101061.8 | 申请日： | 1988-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1036078C | 公开（公告）日： | 1997-10-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,周其裕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用化学汽相淀积(CVD)法在基片上淀积含氮的碳质薄膜。将基片放入反应室，经抽真空，然后输入含碳的生产气体和含氮的添加气体到反应室中，并在0.1-300乇的压强下，在反应室加上能产生适宜的微波能量和磁场强度，就可在基片上淀积一层金刚石或金刚石状碳(DLC)薄膜。这种薄膜的硬度高，而且耐磨性和熔点高。 | ||
| 搜索关键词： | 淀积碳 微波 增强 化学 气相淀积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成碳膜的等离子体化学汽相淀积方法，包括下列步骤：将含有碳的反应气体引进一反应室；将微波输入所说反应室；在所说反应室中建立一磁场，使反应室中预定位置的磁场强度可以产生电子回旋共振；将所说反应气体转变为一等离子体；在反应室中将衬底支承在所说位置附近；以及在所说衬底上淀积碳质薄层，其特征在于，该反应室里的压强为13.3帕至39900帕。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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