[其他]在磁场作用下制造超导陶瓷的方法无效
| 申请号： | 88101380 | 申请日： | 1988-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN88101380A | 公开（公告）日： | 1988-10-05 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,何关元 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造高Tc超导陶瓷材料的方法，该方法是将适量的化学成分混合料压实成规定的形状，然后将压实后的混合料进行烧制，同时在预定方向上往压实后的混合料施加磁场。借助于在烧制过程中施加磁场来提高分子排列的整齐性和提高转变温度Tc。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 作用 制造 超导 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造超导陶瓷材料的方法，其特征在于，所述方法包括在磁场作用下形成超导材料的工序。
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