[发明专利]半导体器件外引线耐应力腐蚀检测法无效

专利信息
申请号: 88101440.0 申请日: 1988-03-25
公开(公告)号: CN1036264A 公开(公告)日: 1989-10-11
发明(设计)人: 沈卓身;李虎;彭建明 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: G01N3/14 分类号: G01N3/14;G01N17/00;H01L21/66
代理公司: 北京科技大学专利代理事务所 代理人: 刘建民
地址: 北京市学*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 目前国内外所采用的半导体器件及集成电路扁平封装外引线耐应力腐蚀检测方法及装置虽然各有特点,但均存在试验周期长、效率低、与外引线实际使用状态相去较远及难以定量之不足。本发明采用使外引线在腐蚀介质中发生弯曲变形的加载缩短了试验周期;在相同试验条件下同时对n×h个外引线进行检测(n为底座数≤20,h为每个底座的外引线数≤10)提高了检测效率;通过记录外引线断裂失效时间和累计失效率并以此进行威布尔统计处理可达到定量检测之目的。
搜索关键词: 半导体器件 外引 应力 腐蚀 检测
【主权项】:
1、一种半导体器件外引线应力腐蚀快速定量检测法,它是在外引线处于腐蚀介质中,在外引线末端作用以外力,并以外引线断裂失效情况对其耐应力腐蚀能力予以描述,其特征在于:a)所说的外力是指使外引线发生弯曲变形的加载,b)所说的断裂失效为直观断裂,c)在相同条件下可同时对n×h个外引线进行检测,其中n为器件数,h为每个器件的外引线数,n≤20,h≤10,d)所说的外引线断裂失效情况系指以外引线断裂失效时间t和累计失效率F(t)进行威布尔统计处理。
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