[发明专利]制造半导体元件的方法无效
| 申请号： | 88101860.0 | 申请日： | 1988-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1007679B | 公开（公告）日： | 1990-04-18 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·克劳切克 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,曹济洪 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种用以制造在片状半导体衬底(4)和金属接触片(6)之间的合金接触的方法中，一种材料焊接合金层仅稍微进入半导体衬底(4)的内部，是通过各自加热半导体衬底(4)和接触片(6)的层结构和用真空中热辐射的方法及使用其面积大于层结构面积的板状加热元件(13、17)来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造半导体元件、特别是大功率半导体元件的方法，在该方法中一片状半导体衬底(4)在至少一衬底侧实质上被焊接于金属接触片(6)，该方法包括下列步骤：(a)至少一层焊料配置在半导体衬底(4)和准备焊接于其上的接触片(6)之间，该焊料能与该半导体衬底(4)的半导体材料形成一种共晶合金；以及(b)将接触片(6)、焊料层和半导体衬底(4)的层结构加热至焊接和半导体材料的合金的低共熔点温度以上的一个温度；其特征在于该方法还包括(c)层结构的加热在真空中通过热辐射各自进行；以及(d)层结构的加热是用至少两平行板状加热元件(13、17)实现，它们的面积大于待焊接的层结构的面积；以及(e)半导体衬底(4)和接触片(6)之间的材料焊接平面的取向，平行于板状加热元件(13、17)的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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