[发明专利]氧化物超导体及其制造方法无效
申请号: | 88101912.7 | 申请日: | 1988-04-06 |
公开(公告)号: | CN1027406C | 公开(公告)日: | 1995-01-11 |
发明(设计)人: | 河野宰;池野义光;定方伸行;杉本;中川三纪夫;青木伸 | 申请(专利权)人: | 藤仓电线株式会社 |
主分类号: | H01B12/00 | 分类号: | H01B12/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种超导体制造方法以及用该方法制成的超导体。更详细地说,本发明涉及一种与常规合金超导体或金属间化合物超导体相比具有非常高的临界温度和临界电流密度的钙钛矿型氧化物超导体及其制造方法。此超导体表达为A-B-Cu-O其中A代表至少一个周期表内IIIa族元素;B代表至少一个周期表内IIa族元素,其中A和B二者中至少有一个包括同一族中的两个元素。本发明还给出了该超导材料的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 超导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超导体组合物,其特征在于它用下式表示:A2-B1-C3-D7-δ其中数字表示克分子成分,δ是表示氧不足的量;A表示Ba,并具有选自Sr或Ca之中的部分替换元素;B表示Y,并具有选自Yb,Ho或Er之中的部分替换元素;C表示Cu,可具有选自Ag或Au之中的部分替换元素;D表示O,并具有选自F或Br之中的部分替换元素。
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