[发明专利]具有多层超导结构的电路及其制造方法无效
| 申请号： | 88102047.8 | 申请日： | 1988-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1033543C | 公开（公告）日： | 1996-12-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/18 | 分类号： | H01L27/18;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体衬底上具备超导膜的电路，与超导膜相接触的表面由耐热非氧化绝缘膜组成，以使超导膜的性能不下降。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 超导 结构 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一涂覆有一层由氧化物制成的绝缘层的衬底上所形成的超导图形，所说图形包括氧化超导陶瓷材料，其特征在于，一层非气化绝缘薄膜被插入在所说绝缘层和所说超导图形之间，以防止所述超导图形直接接触所述绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
