[其他]门关断闸流晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 88102261 | 申请日： | 1988-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN88102261A | 公开（公告）日： | 1988-11-23 |
| 发明（设计）人： | 彼得·罗格韦勒 | 申请（专利权）人： | BBC勃郎勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有半导体基片(1)的门关断闸流晶体管(GTO)，至少包括-P型导电阳极层(4)，-n型基区层(6)，-和门电接触的P型基区层(7)和-包括用作n+发射极的重掺杂区(10)和轻掺杂区(9)的n型导电阴极层(8)。区(10)与基片(1)表面相毗连，其掺杂浓度至少较P型基区层的高一个数量级。区(9)位于层(7)和层(8)形成的pn结J1与层(8)的区(10)之间。按照本发明的实施例，在台面结构GTO中，区(10)使区(9)在指形阴极(2)的中央条形区(5)从pn结J1延伸到基片(1)表面。 | ||
| 搜索关键词： | 门关断闸流 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、具有半导体基片(1)的门关断闸流晶体管，至少包括：a)一个P型导电阳极层(4)，b)一个n型基区层(6)，c)一个和门电接触的P型基区层(7)，d)一个n型导电阴极层(8)；其中，e)阴极层(8)包括与半导体基片(1)表面毗连的重掺杂区(10)，用作n+发射极，其掺杂浓度数量级至少高于P型基区层(7)，f)阴极层(8)还包括与一个由阴极层(8)和P型基区层(7)形成pn结毗连的轻掺杂区(9)，其掺杂浓度与P型基区层(7)在相对阴极层(8)的pn结处的掺杂浓度相差不大。
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