[发明专利]门关断闸流晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 88102261.6 | 申请日： | 1988-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1008782B | 公开（公告）日： | 1990-07-11 |
| 发明（设计）人： | 彼得·罗格韦勒 | 申请（专利权）人： | BBC勃郎勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有半导体基片(1)的门关断闸流晶体管(GTO)，至少包括一P型导电阳极层(4)，一n型基区层(6)，一和门电接触的P型基区层(7)和一包括用作n+发射极的重掺杂区(10)和轻掺杂区(9)的n型导电阴极层(8)。区(10)与基片(1)表面相毗连，其掺杂浓度至少较P型基区层的高一个数量级。区(9)位于层(7)和层(8)形成的pn结J1与层(8)的区(10)之间。按照本发明的实施例，在台面结构GTO中，区(10)使区(9)在指形阴极(2)的中央条形区(5)从pn结J1延伸到基片(1)表面。 | ||
| 搜索关键词： | 门关断闸流 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有台面结构的门关断闸流晶体管包括：一半导体基片，它具有至少一P型导电的阳极层、一n型基区层、一和门作电气接触的P型基区层、以及一n型导电的阴极层，其中所说阴极层被沟槽分割成许多单个的指形阴极；诸阴极接触，设置在指形阴极上；一门接触，由一连续的复盖沟槽的金属层提供；一pn结，在p型基区层和n型导电阴极层之间形成；一在阴极层中的扩散的重掺杂区，它起作n发射极的作用并与半导体基片的一阴极侧表面毗连；一在阴极层中的扩散轻掺杂区，它与pn结毗连并延伸到轻掺杂区，所说轻掺杂区具有一掺杂密度，可和pn结处的p型基区层的密度相比；所说门关断闸流晶体管的特征在于：所说在阴极层中的扩散重掺杂区在pn结前延伸到一范围为2-4微米的短距离，所说重掺杂区的掺杂密度较p型基区层至少高一个数量级。
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