[发明专利]一种半导体器件互连的制造方法无效
| 申请号： | 88103212.3 | 申请日： | 1988-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1011749B | 公开（公告）日： | 1991-02-20 |
| 发明（设计）人： | 胡伯特斯·约翰内斯·邓布兰肯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01L21/90 | 分类号： | H01L21/90;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件互连的制造方法，其中第一布线导体(20)、绝缘层(21)和第二布线导体(22)依次被设置在由许多绝缘区(4、10)和许多半导体区(3)连接在一起的半导体(1)的表面上。在两层布线(20、22)之间设置互连接点，这些接点位于半导体区(3)和邻接的绝缘区(4、10)两者之上。接点由第一布线(20)形成导电通柱(44)，设置绝缘层(50)后，使通柱(44)顶端露出，再设置第二布线(22)覆盖在通柱(44)的顶端上而作成。因而大块地节省了在半导体表面(2)上所占的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件互连的制造方法，包括第一布线导体、绝缘层和第二布线导体依次被形成在由许多绝缘区和许多半导体区连接在一起的半导体表面上，两层布线之间通过绝缘层的通孔，局部地设置了互连接点，所说的接点位于一半导体区和一与之邻接的绝缘区两者之上，其特征在于：由第一布线导体形成导电通柱，其上设置绝缘层之后，使通柱顶端露出，并在已露出顶端的通柱上设置第二布线导体而作成互连接点，而且第一布线导体由双层作成，包括一主要含钨的基层和一主要含铝的顶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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