[发明专利]热磁记录方法无效
申请号: | 88103214.X | 申请日: | 1988-04-23 |
公开(公告)号: | CN1014474B | 公开(公告)日: | 1991-10-23 |
发明(设计)人: | 荒谷胜久;中冲有克;田中富士 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11B11/10 | 分类号: | G11B11/10 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,何关元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 热磁记录法,所采用的热磁记录介质中由稀土和过渡金属分别形成的第一,第二和第三磁性薄膜以磁耦合方式相继地重叠成层。在一个预定的垂直于其中的膜平面的磁场下进行选择性调制时采用加热热磁记录介质的方法,根据被记录的数据来进行记录。第一加热态上在高于第一磁性薄膜居里点Tc1的第一温度T1上保持第二磁性薄膜的过渡金属的亚晶格磁化在一个预定的方向中,第二加热态在上高于Tc1的第二温度T2上过渡金属的亚晶格磁化反转到预定方向的反向。 | ||
搜索关键词: | 记录 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用热磁记录介质的热磁记录方法,该热磁记录介质由多层磁性薄膜形成,每一磁性薄膜部由稀土金属和过渡金属形成,这些磁性薄膜以磁耦合方式叠合成薄膜层,其特征在于,所述磁性薄膜是由第一、第二和第三磁性薄膜形成的,在一垂直于磁性薄膜平面的预定磁场作用下,根据被待记录的数据,对所述的热磁记录介质进行有选择性的调制加热,第一加热状态时的第一温度T1实际上是在所述的第一磁性薄膜的居里点Tc1以上,并足于保持所述第二磁性薄膜的过渡金属亚晶格磁化在一预定的方向中,而在第二加热状态中的第二温度T2实际上是在所述居里点Tc1以上,并足以将所述第二磁性薄膜的过渡金属亚晶格磁化反转到与所述预定方向的反向;而在继所述第一和第二加热状态之后的冷却阶段中,在低于所述的第一温度T1的温度时,没有直接反转所述第一磁性薄膜的亚晶格磁化的情况下,使所述的第二磁性薄膜的亚晶格磁化与所述第三磁性薄膜亚晶格磁化在所述预定方向。
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