[发明专利]可调式对向磁控溅射源无效
| 申请号： | 88103800.8 | 申请日： | 1988-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1023653C | 公开（公告）日： | 1994-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张云汉;唐希源;刘利民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院北京真空物理实验室;北京联合大学机械工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射源，涉及材料的金属涂层领域。其包括一对对向放置的靶、极靴、电磁线圈及阳极屏蔽罩等部分。各个靶分别加连续可调的电压，以获得不同的溅射速率。电磁线圈加连续可调的激磁电流，在两靶间形成垂直于靶面的磁场。对向放置的两靶间可插入补偿靶。本发明可方便地调节所得薄膜的成分，可应用于磁性材料，特别是超导薄膜特定合金成分薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 调式 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1.一种对向磁控溅射源，其特征在于该磁控溅射源由两个平行对向放置的靶组成，每个靶由平面靶材(阴极)(5)、极靴(3)、电磁线圈(1)[或(2)]以及阳极屏蔽罩(4)组成。
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