[发明专利]局部分子结构分析仪无效
申请号: | 88104151.3 | 申请日: | 1988-07-04 |
公开(公告)号: | CN1010614B | 公开(公告)日: | 1990-11-28 |
发明(设计)人: | 市村克彦;田岛孝博;齐藤翘 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所;宇部兴产株式会社 |
主分类号: | G01N21/35 | 分类号: | G01N21/35 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘建国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种局部分子结构分析仪,除了用样品的红外吸收光谱峰的波数以外,还用吸收光谱峰的强度来分析局部结构中的分子,以便改进分析精度。 | ||
搜索关键词: | 局部 分子结构 分析 | ||
【主权项】:
1.一种分析局部分子结构的分析仪,包括:存贮局部结构吸收峰出现处的波数值域,吸收光谱峰以及吸收强度的存贮系统。通过探测样品的红外吸收光谱峰,并把所有吸收峰的波数与存在所说数据存贮系统中的局部结构吸收光谱峰出现处的波数值域进行比较,探测出一种或多种待测局部结构的探测系统,计算所说探测系统探测出的,对应于局部结构的样品吸收峰的归一化强度的强度计算系统;计算所说强度计算系统算出的吸收峰强度和存在所说存贮系统中的一种或多种标准材料局部结构吸收峰强度之间的评估因子的计算系统;在对于所说的一种或多种以上标准材料的局部结构评估因子中,确定出最佳值的定值系统;依次输出较好的局部结构值的输出系统。
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