[发明专利]真空断路器触头无效
| 申请号： | 88104348.6 | 申请日： | 1988-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1023270C | 公开（公告）日： | 1993-12-22 |
| 发明（设计）人： | 文森特·J·桑蒂利 | 申请（专利权）人： | 西屋电气公司 |
| 主分类号： | H01H1/02 | 分类号： | H01H1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 付康 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括触头(21和27)的真空断路器(11)，触头由铜、铬、铋和至少0.5重量％氧化铬混合物制成，该混合物可以另外包含少量的银、铁和钛。氧化铬能够阻碍铜粒生长，将铋固定在基体内，并增加真空断路器的绝缘强度。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 断路器 | ||
【主权项】：
1、一种用于真空断路器中的致密的烧结真空断路器触头，改进的特征在于上述触头包含至少0.5重量%Cr2O3，分散在50-75重量%铜粒中的2.5～15重量%铋，触头的其余成分有铬及三氧化铬(CrO3)，其中铬的氧化物在连接的、均匀分布的网状组织中包围铜，铋和铬。
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