[发明专利]含卤素的碳材料淀积方法无效
| 申请号： | 88106060.7 | 申请日： | 1988-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1020477C | 公开（公告）日： | 1993-05-05 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;林茂则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 借助于化学汽相淀积法可以在一个表面上形成金刚石薄膜或由微晶组成的绝缘碳质薄膜。注薄膜中通卤素不难控制薄膜的特性，如透明度，电导率和硬度等。 | ||
| 搜索关键词： | 卤素 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沉积主要由碳组成的材料的方法，其特征在于它包括下列步骤：将待涂敷的物体放入反应室的反应空间中；将包括碳的反应气体引进所说反应空间；用一对电极将电能输入到所说反应空间，以分解所说反应气体，并在所说物体的表面上沉积分解的碳产物，所说方法的特征在于，将所说物体放在与所说一对电极的各电极相隔离的夹具上，且所说物体加有偏置电压。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
