[发明专利]P-N结串联温度传感器无效

专利信息
申请号: 88106496.3 申请日: 1988-09-02
公开(公告)号: CN1040680A 公开(公告)日: 1990-03-21
发明(设计)人: 牛毓琦;朱文有 申请(专利权)人: 牛毓琦
主分类号: G01K7/00 分类号: G01K7/00;H01L35/00
代理公司: 宁夏发明专利服务中心 代理人: 罗永前
地址: 宁夏回族自治区银川市新*** 国省代码: 宁夏;64
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种由多个P-N结串联而组成的温度传感器。方法是在单晶外延硅片上做二个以上的三极管,它们有共同的集电极。将这些二个以上三极管的基极、发射极相互串联,就得到二个以上的P-N结串联的温度传感器。这种传感器工艺过程简单、成本低、而灵敏度却比单个P-N结温度传感器提高n倍(n为P-N结个数)。
搜索关键词: 串联 温度传感器
【主权项】:
1、一种由P-N结串联所组成的温度传感器,其特征在于这种P-N结串联温度传感器是由二个以上的P-N结串联所组成的,即在N型单晶硅片上直接做二个以上的三极管(N-p-N),它们有共同的集电极(1),将上述二个以上的三极管基极(4)、发射极(5)相互串联而构成二个以上p-N结串联温度传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于牛毓琦,未经牛毓琦许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/88106496.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top