[发明专利]低热膨胀系数薄磁性金属层的制造方法无效
| 申请号： | 88106635.4 | 申请日： | 1988-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1032037A | 公开（公告）日： | 1989-03-29 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·海因茨·于尔根·布斯乔 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;H01F1/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨剑侠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述制造薄磁性层的方法。材料的组成是由通式REFe12-xTx所定义，其中RE是选自Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Lu和Y的一种元素，其中T是选自Si，Ti，V，Cr，Mo和W的一种元素，并且其中1≤X≤4。此材料是由气相淀积技术施加的。 | ||
| 搜索关键词： | 低热 膨胀系数 磁性 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基体上制造热膨胀系数低的薄磁性金属层的方法，其特征在于该磁性金属材料的组成由通式REFe12-xTX所定义，其中RE是选自Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Lu和Y的一种元素，其中T是选自Si，Ti，V，Cr，Mo和W的一种元素，其中1≤X≤4，此方法是通过气相淀积技术来实施的。
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