[发明专利]制造超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法无效
| 申请号： | 88107590.6 | 申请日： | 1988-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1019251B | 公开（公告）日： | 1992-11-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;H01L39/24;H01B12/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法，其中彼此分开且相对放置的一对靶在其上具有薄膜形成表面部分，以使一个磁场施加在垂直或平行于该磁场放置的靶之间，由此通过磁场和薄膜形成表面部分的直接接触在薄膜生长过程中使晶体取向。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 超导 氧化物 陶瓷材料 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法，包括下列步骤：在反应室中置放一对靶，该对靶具有形成一超导材料的诸材料，所说对靶中的各靶隔开放置且互相面对；在所说反应室中将一基片放在所说对靶之间的空间；对所说靶进行溅射，以使所说超导材料沉积在所说基片上；其特征在于，在所说沉积期间，将一个其方向与超导电流应流过的预定方向相一致的磁场加到所说基片上，以便所说基片周围的磁场大于0.1泰斯拉。
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