[发明专利]一个离子束注入系统无效
| 申请号： | 88108755.6 | 申请日： | 1988-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1017949B | 公开（公告）日： | 1992-08-19 |
| 发明（设计）人： | 马文·法利 | 申请（专利权）人： | 伊顿有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 付康 |
| 地址： | 美国克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种离子束注入系统，包括一个离子束中和器(10)，高能电子(40)被引导通过离子束中性化区域或含有可电离气体的区域。当高能电了与气体分子碰撞时，电离气体分子产生低能电子，它被带正电的离子束(14)浮获，当高能电子穿过中性化区域后，它们被一圆柱导体(30)和一加速栅极(50)偏转回中性化区域，该圆柱导体(30)被偏置得能偏转高能电子，栅极能加速电子返回束中性化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一个 离子束 注入 系统 | ||
【主权项】：
1、一个离子束注入系统，包括：a)一个离子源，用于产生一个带正电离子束并且引导所述离子束沿一个路径撞击一个工件；b)位于离子束附近的电子源装置，用于引导高能电子通过所述离子贯穿的一个束中性化区域；c)围绕至少部分束中性化区域的排斥极装置，用于偏转通过所述束中性化区域的高能电子回到所述束中性化区域；d)其特征在于(i)用于在束中性化区域中提供一个可电离气体，气体分子与所述高能电子碰撞以提供被所述离子束俘获的低能次级电子从而减小上述离子束的电荷，(ii)位于束中性化区域附近为栅极装置，用于加速电子从排斥极装置回到中性化区域。
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