[其他]矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器无效
| 申请号： | 88201030 | 申请日： | 1988-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN88201030U | 公开（公告）日： | 1988-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吴宪平;于连忠 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L1/20 |
| 代理公司： | 复旦大学专利事务所 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属半导体压力传感器领域。其芯片结构特征为，在硅膜背面有由各向异性腐蚀形成的两个对称矩形硅岛，硅岛端面与器件衬底之间有一层间隙，硅膜正面相应于双岛之间的沟槽部位和岛与边框之间的沟槽部位设置力敏电阻，该组电阻联结成惠斯顿电桥。这种结构的压力传感器特点为灵敏度高，线性度好，并有过压保护功能，可广泛用于各种工业和医用测压系统，尤其是低压测量系统。 | ||
| 搜索关键词： | 矩形 双岛硅 膜结构 保护 压力传感器 | ||
【主权项】：
1、一种由硅膜与其上的硅岛、力敏电阻、衬底组成的半导体压力传感器，其特征在于：(1)硅岛1在硅膜2的背面，是由各向异性腐蚀形成的两个对称的矩形或近似矩形质量块；(2)力敏电阻3设置在硅膜2的正面，位于两硅岛之间的中心沟槽的对应部位及硅岛与硅膜边框4侧壁之间的边缘沟槽的对应部位；(3)两硅岛的端面和器件衬底5之间有一层间隙6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/88201030/，转载请声明来源钻瓜专利网。
