[实用新型]开关电源用厚膜电路无效
| 申请号： | 88217419.3 | 申请日： | 1988-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN2035922U | 公开（公告）日： | 1989-04-12 |
| 发明（设计）人： | 米鸿鹗;陈柏孙 | 申请（专利权）人： | 上海大学工学院 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市中山南*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型是一种包括脉冲调整、误差放大、输出激励电路功能的开关电源用厚膜电路，其中有过电压、过电流保护电路，而开关管不封装在厚膜电路中。由于功能电路与开关管分开，不再工作在高温环境中，提高了电路的可靠性，同时，过电压，过电流保护电路设计在厚膜电路中，使外围电路设计简单、元件减少。生产本实用新型无需专门的塑料模具，生产工艺简化，成本降低，使用在整机中替代进口电路，提高了整机的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 开关电源 用厚膜 电路 | ||
【主权项】：
1、本实用新型是一种包括脉冲调整、误差放大、输出激励电路功能的开关电源用厚膜电路，其特征在于厚膜电路中有过电压、过电流保护电路，开关管不封装在厚膜电路内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
