[发明专利]电流注入式激光器

摘要

一种激光器，它具有一单晶基片(12)，基片(12)上依次如此配置有一内反射器(12)、共振腔层(20)和一外反射器(24)，使得m＝0，1，2，……其中λm是一个可能的工作波长，Nr(It)是共振腔层在电流为It时的折射率，It为在产生激光的临界点下流经激光器的电流，d为共振腔层的厚度，φ1和φ2在本发明中有所规定(通常φ1加φ2等于2π或0)，变量m的值在0至10的范围内。

主权项

1.一种电流注入式激光器，具有这样的结构：在具有某一折射率的单晶基片上依次配置有第一组取向生长单晶层形成的一个内反射器、一个共振腔层和由第二组取向生长单晶层形成的外反射器；该结构至少有一部分(即一层或一层以上的内反射器、基片和共振腔层)是导电的，而且或是P型导电或是n型导电；该结构的至少另一部分(即一层或一层以上的外反射器和共振腔层)是导电的，而且或是n型导电或是P型导电，但其导电类型与上述一部分不同；该结构还包括分别与其所述的一部分和所述的另一部分作电阻接触的第一和第二导电装置，因而给所述导电装置施加电压时，所述结构中就有电流通过，使该结构借助于激光作用产生相干光；所述各层包含这样一些反射器致使其达到的合成周期具有λ/2或其奇数倍的光学厚度，其中λ是如此所产生的光的波长，而共振腔层的厚度d由以下关系式确定：其中λm是可能的工作波长，Nr(It)是电流为It时共振腔层的折射率，It则是在产生激光的临界点时通过激光器的电流，1和2由下列关系式确定：rλ＝-r1exp(j1)其中rλ是内反射器的复数反射率幅值，r1是包含在内反射器中各薄层的反射率的幅度，1是该反射率下的相位移；