[发明专利]铋-锶-钙-铜-氧高Tc超导体及其制备方法无效
| 申请号： | 89101152.8 | 申请日： | 1989-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1025900C | 公开（公告）日： | 1994-09-07 |
| 发明（设计）人： | 山田穰;村濑晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘建国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高Tc氧化物超导体，包括Bi，Sr，Ca，Cu，O，以及Pb和Al中的至少一种，其临界温度高于液氮，还公开一种制造高Tc氧化物超导体的方法，将Bi2O3，SrCO3，CaCO3，CuO，以及PbO或Al2O3粉末混合，煅烧，磨碎，冷压成型和烧结。将煅烧后的混合物溶化和退火，得到带形超导体。 | ||
| 搜索关键词： | tc 超导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.按权利要求1的铋-锶-钙-铜-氧系超导体，包括由下列各式表示的至少一种相：(Bi1-xPbx)2Sr2Ca1Cu2Oy(Bi1-xAlx)2Sr2Ca1Cu2Oy(Bi1-xPbx)2Sr2Ca2Cu3Oy以及(Bi1-xAlx)2Sr2Ca2Cu3Oy其中x＝0.05到0.85
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