[发明专利]等离子体处理方法和装置无效
| 申请号： | 89101741.0 | 申请日： | 1989-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1021100C | 公开（公告）日： | 1993-06-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;土屋光则;川野笃;今任慎二;中下一寿;浜谷敏次;大岛乔;伊藤健二 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05H1/30 | 分类号： | H05H1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,何关元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，该方法包括：在一反应空间中设置一支持至少一个基片的基片支架，所说空间由一对间隔的电极所限定；将一反应气体引进所说反应空间；将一个第一交流电源连接到所说电极对中的一个电极，而一个第二交流电源连接到所说电极对中之另一个电极，以便在所说反应空间从所说反应气体产生等离子体；以及在所说基片上进行等离子体处理；基特征在于，所说第一和第二交流电源的相位彼此互相偏移，且所说基片在等离子处理期间加有一个交流电压，其频率低于所说第一和第二交流电源。
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