[发明专利]溅射氧化铁薄膜的制备无效

专利信息
申请号: 89101807.7 申请日: 1989-04-01
公开(公告)号: CN1045997A 公开(公告)日: 1990-10-10
发明(设计)人: 周增均 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/34;G11B5/84;H01F41/18
代理公司: 北京大学专利事务所 代理人: 陈美章
地址: 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 氧化铁薄膜Fe3O4是计算机硬盘应用的一种主要介质,该发明一步法加水蒸汽溅射氧化铁薄膜,是一种全新的工艺,是由纯铁(加钴)靶,经反应溅射采用该法制备的Fe3O4薄膜,其饱和磁化强度Ms达450—470emu/cc,再经过空气中加热氧化生成rFe2O3其Ms值可达360emu/cc,薄膜的矫顽力可达300—1300Oe,该发明制备的氧化铁薄膜磁性较强,工艺稳定性好且宽容度大,溅射速率高,晶粒均匀,缺欠很少。
搜索关键词: 溅射 氧化铁 薄膜 制备
【主权项】:
1、一种溅射氧化铁薄膜的制备方法,其特征是用纯铁靶或纯铁加钴的混合靶,经一步法加水蒸汽而直接生成氧化铁薄膜。
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