[发明专利]采用陶瓷超导元件的逻辑器件无效
| 申请号： | 89104039.0 | 申请日： | 1989-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1020363C | 公开（公告）日： | 1993-04-21 |
| 发明（设计）人： | 野岛秀雄;片冈照荣;桥爪信郎;土本修平;森末道忠 | 申请（专利权）人： | 夏普公司;森末道忠 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00;H01L39/16;H01L39/18;G11C11/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,程天正 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一逻辑器件包括一具磁阻特性的陶瓷超导元件(4)和三个毗邻(4)配置的电极(12、14、16)，其中一个电极加电流时，元件(4)上通常总加有大于一阈值磁场(H0)的磁场，电极(14、16)则用以增减磁场。一存储器件包括一超导环路(46、48)和一电极(44)，超导环路的至少一部分由具有晶粒间界的陶瓷超导元件(46)构成，电极(44)设在元件(46)附近，使流经元件(46)外的所述环路的一部份(48)电流可由控制流经电极(44)的电流产生的磁场使其被捕获在所述环路中。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 陶瓷 超导 元件 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
1.一种逻辑器件，它包括一衬底(3)，其特征在于，它还包括：一陶瓷超导元件(4)，淀积在所述衬底上，该陶瓷超导元件在弱磁场时具有灵敏的磁阻特性；三个电极(12，14，16)，毗邻所述陶瓷超导元件配置，且构成得使往所述三个电极中的一个电极加电流时在所述陶瓷超导元件(4)上通常总加有一大于阈值磁场(H0)的磁场，其它电极(14、16)则用以增加或减小磁场；第一电极(12)，毗邻所述陶瓷超导元件(4)配置，当通过第一电极加第一电流时给陶瓷超导元件(4)提供第一磁场(H1)；第二电极(14)，毗邻所述陶瓷超导元件(4)配置，当通过第二电极加第二电流时给陶瓷超导元件(4)提供第二磁场(-H2)；第三电极(16)，毗邻所述陶瓷超导元件(4)配置，当通过第三电极加第三电流时给陶瓷超导元件(4)提供第三磁场(H3)；因此当存在所述第一磁场(H1)时，就使所述陶瓷超导元件(4)处于磁阻状态，当存在所述第一和第二磁场(H1-H2)时，就使所述陶瓷超导元件(4)处于超导状态，当存在所述第一和第三磁场(H1+H3)时，就使所述陶瓷超导元件(4)处于所述磁阻状态，当存在所述第一、第二和第三磁场(H1-H2+H3)时，就使所述陶瓷超导元件(4)处于所述磁阻状态，从而起“隐含”逻辑器件的作用。
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