[发明专利]半导电陶瓷组合物无效
申请号: | 89104911.8 | 申请日: | 1989-07-14 |
公开(公告)号: | CN1016295B | 公开(公告)日: | 1992-04-15 |
发明(设计)人: | 岩谷昭一;增村均;田口春男;浜田宗光;曾我部智浩;高桥茂也;佐藤弘幸 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01B3/12 | 分类号: | H01B3/12;H01C7/00;C04B35/00 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 戎佩庄,罗才希 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文介绍一种半导电陶瓷组合物,它能使其电阻-温度特征和电阻按要求受控,并使该组合物的焙烧温度降至足以便于以低成本成批生产的程度。该组合物包括由SrO、PbO和TiO2组成的主要成分,在氧气氛中焙烧。该组合物可包括SiO2和M中至少一种作为次要成份。主要和次要成分的量的变化可使组合物的特征和性能按要求改变。 | ||
搜索关键词: | 导电 陶瓷 组合 | ||
【主权项】:
1.一种半导电陶瓷组合物,其特征在于包括按SrO计为0.05至0.95mol的Sr,按PbO计为0.05至0.85mol的Pb,按TiO2计为0.90至2.0mol的Ti,按R的氧化物计为0.001至0.3mol的R,其中R是选自下述稀土元素、、Bi、V、W、Ta、Nb和Sb中的至少一种元素,稀土元素的量(除Ce、Bi和Sb外)按1/2(R2O3)计,V、Ta和Nb的量按1/2(R2O5)计,Ce和W的量分别按RO2和R3计,该组合物在氧气氛中进行焙烧。
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