[发明专利]一种断裂韧性高的自增强氮化硅陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 89106347.1 | 申请日： | 1989-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1048376A | 公开（公告）日： | 1991-01-09 |
| 发明（设计）人： | 阿历山大·J·派钖克;威廉·J·杜宾斯基;杜格拉斯·B·许瓦兹;唐纳德·R·比曼;哈罗德·E·罗索 | 申请（专利权）人： | 唐化学原料公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨厚昌 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种断裂韧性高的自增强氮化硅陶瓷体的制备方法，包括在达到致密化的条件下热压含氮化硅、氧化镁、氧化钇和β-氮化硅晶须的一种生长增长化合物的粉末混合物，直接生成具有高纵横尺寸比的β-氮化硅晶须。本发明公开的断裂韧性高和断裂强度高的新型氮化硅陶瓷含有β-氮化硅结晶相，该相中至少20％(体积)呈晶须形式，该晶须的平均纵横尺寸比至少为2.5，第二相玻璃相，该相含有镁源如氧化镁，钆源如氧化钇，化合物如二氧化钛、二硼化铌或氧化锶，它能促进β-氧化硅晶须的生长以及总量不大于35％(重量)的二氧化硅，不大于10％(总重量)的其它相。该玻璃相还可以含有少于5.0％(重量)(以该陶瓷的总重量计)的氮化铝或氮化硼。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 断裂韧性 增强 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、制备氮化硅陶瓷的方法包括：制备含下列成分的粉末混合物：(a)氮化硅，其量足以制成陶瓷体；(b)镁源，其量足以促进该粉末的致密化；(c)钇源，其量足以加速氮化硅原料基本上完全转变成β-氮化硅，和(d)至少一种晶须生长增长化合物，其量足以加速β-氮化硅晶须的生成，该化合物为选自钙、钠、钾、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、锶、锆、铌、钡、镧或其混合物的元素衍生物，在达到致密化的条件下热压该粉末混合物，直接生成平均纵横尺寸比高的β一氮化硅晶须，使该氮化硅陶瓷主要含纵横尺寸比高的β-氮化硅晶须，其陶瓷体断裂韧性约大于6MPa(m)。
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