[发明专利]制造硅单晶的方法和设备

摘要

一种硅单晶制造方法和设备，能够定量且稳定地馈送掺杂剂。按硅单晶的重量或者馈入的硅原料的重量，计算出熔硅中掺杂的浓度，预计添加掺杂剂(10)的时间与数量。掺杂剂采用同样浓度与重量，定量极准的掺杂片形式，连续或间歇地由园筒(91)、活塞(92)和活塞操纵装置(93)组成的掺杂剂供给装置馈送。

主权项

1、一种硅单晶体的制造方法，该方法是按切克劳斯基法(CZ??法)并且以连续方式供给硅原料和掺杂剂，用以生长硅单晶，该方法包括以下步骤：在盛装熔隔融的坩埚内设置缓冲壁，使所述熔融硅分隔成为构成单晶硅生长区的中心区与构成所述硅原料和掺杂剂供入区的周边区；把所述硅原料和多个含掺杂剂的小片供入到所述周边区的熔融硅的表面，所述含掺杂剂的小片是将具已知掺杂剂浓度的材料切成圆盘状硅晶片或晶片状材料，成为固定的形状，并作为所述的掺杂剂使用；所述熔融硅从该周边区通过许多穿透所述缓冲壁的小孔以单向流入所述中心区；以及按照生长硅单晶的重量或所述供入的硅原料的重量来估算在该中心区中所述熔融硅的掺杂浓度，用以预计向该周边区内所述熔融硅中添加所述掺杂剂的时间及数量，依此多次重复添加所述掺杂剂，以保持所述缓冲壁内侧所述熔融硅的掺杂浓度在预定的范围内。