[发明专利]一种热释电材料(K2ZnCl4晶体)的制备无效
| 申请号： | 89106607.1 | 申请日： | 1989-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1016714B | 公开（公告）日： | 1992-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郑吉民;车云霞;申泮文 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/04;H01L37/02 |
| 代理公司： | 南开大学专利事务所 | 代理人： | 王惠林,谭海安 |
| 地址： | 30007*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于红外热释电材料。K2ZnCl4是一种新型热释电材料，具有很好的热释电性能，其热释电系数(P)＝1.3×10-8(库/厘米2，度、介电常数3.8，居里温度(Tc)为120℃，优比值(P/ε)约3.42×10-9(库/厘米2，度)，它是一种很有应用前景的热释电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热释电 材料 k2zncl4 晶体 制备 | ||
【主权项】：
1.一种红外热释电单晶体(结构式为K2ZnCl4)的制备方法，其特征是把KCl和ZnCl2按摩尔比2∶1进行化合(反应式为2KCl+ZnCl2＝K2ZnCl4)，然后把得到的K2ZnCl4用去离子水溶解，去离子水的重量为育晶液总重量的10～20％，育晶时，先把育晶液升温于50～65℃，然后缓慢降温至其饱和点进行晶体生长，育晶时溶剂的蒸发速度为10～30毫升/昼夜，经30天后即可生长出大尺寸的K2ZnCl4单晶体。
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