[发明专利]一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法无效
| 申请号： | 89106608.X | 申请日： | 1989-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1049690A | 公开（公告）日： | 1991-03-06 |
| 发明（设计）人： | 郑吉民;车云霞;申泮文 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/08;H01L37/02 |
| 代理公司： | 南开大学专利事务所 | 代理人： | 王惠林,谭海安 |
| 地址： | 天津市卫*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于红外热释电材料。TGFb单晶体是一种优良的热释电材料，但在育晶时其晶体难于生成。本发明使用HBF4部分取代TGFb中的H2BeF4合成出新型TGFbFb热释电材料。采用本法易于生长出大尺寸的完整晶形的晶体；本材料的热释电系数(P)比TGFb单晶体的P值提高20％，优值比(P/ε)＞1.93×10-9(库/厘米2·度)，居里温度＞72℃；TGFbFb单晶可用于制作红外器件，其灵敏度比TGFb高，且使用的温度范围宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶形 完整 尺寸 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于红外传感器、热显象管、遥感遥控仪和红外探测器等器件的热释电材料TGFbFb[结构式为(NH2CH2COOH)3，(1-X)H2BeF4·XHBF4，其中X=0.01-0.90]的制备方法，其特征在于它是用部分的氟硼酸(HBF4)取代TGFb热释电材料[结构式为(NH2CH2COOH)3·H2BeF4]中部分的H2BeF4，其制备方法是把甘氨酸溶于去离子水中(Ⅰ)，再把H2BeF4和HBF4混匀(Ⅱ)，然后把(Ⅰ)和(Ⅱ)缓慢倒入育晶瓶中，把育晶瓶置于恒温槽中经高于饱和点10-15C加热处理后，在70℃以下缓慢降温至饱和点生成晶体，上述三种主要原料的摩尔比为NH2CH2COOH∶H2BeF4∶HBF4=3∶(1-X)∶X(X=0.01-0.90)。
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