[发明专利]为非平面型半导体器件形成顶部接触

摘要

通过在用作管芯接触的一平面金属引线上提供接触凹陷区，来改善在邻近管芯接触区域有凸起的介质区域的功率器件的接触。凹陷区安排在管芯接触区之上，并与其焊接。调节凹陷区的弯曲半径和凹陷深度，使得接触引线与包围在管芯接触区边缘的凸起介质边缘的距离远得足以使那个位置上提供一个横向凹陷的空气——焊料界面。这可防止焊料蔓延到介质表面，避免管芯边缘短路。

主权项

1.一种半导体器件，包括具有彼此相对的第一和第二表面的半导体管芯，其中，半导体管芯的第二表面上具有比管芯第二表面高的焊接区，其中，焊接区与介质的一部分横向相邻，介质的上表面比半导体管芯的第二表面高并且高于焊接区的高度，其特征在于还包括：第一引线装置，具有允许外部与器件接触的第一部分和与第一部分相连的安装半导体管芯第一表面的第二部分；第二引线装置，具有允许外部与器件接触的第一部分和在焊接区上与半导体管芯的第二表面进行电连接的第二焊接部分；其中，第二引线装置的焊接部分至少在一个方向上是向焊接区凸向弯曲的，以使得在把焊接部分连接到焊接区上时，焊接部分与焊接区之间的距离在水平方向上从最靠近焊接区的那部分到横向邻近的介质处增加。