[发明专利]高灵敏度热释电单晶体的合成方法无效

专利信息
申请号: 89107151.2 申请日: 1989-09-11
公开(公告)号: CN1050230A 公开(公告)日: 1991-03-27
发明(设计)人: 郑吉民;李兆阳;车云霞;申泮文 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C30B29/54 分类号: C30B29/54;H01L37/02
代理公司: 南开大学专利事务所 代理人: 王惠林,谭海安
地址: 30007*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于红外热释电材料。本发明使用无机酸(HBF4)部分取代LATGS中的硫酸制得LATGS/Fb单晶体,其热释电系数(P)值可达6.4-7.8库/厘米2·度,优质比(P/ε)可达1.8-2.2×10(库/厘米2·度),可用于制作高灵敏度的红外热释电器件。
搜索关键词: 灵敏度 热释电 单晶体 合成 方法
【主权项】:
1、一种用于红外传感器、热显象管、遥感遥控仪和红外探测器件的热释电晶体LATGS/Fb{结构式为(3-X)[NH2CH(CH3)COOH]·(1-Y)H2SO4·YHBF4}的制备方法,其特征在于用部分的无机酸(HBF4)取代LATGS中部分的H2SO4,其制备方法是先把甘氨酸与L-丙氨酸[摩尔比为(3-X)∶X,X=0.4-1.2]用去离子水溶解(Ⅰ),再把H2SO4[(1-y)摩尔,Y=0.02-0.90]用去离子水进行稀释后与HBF4[Y摩尔,Y=0.02-0.90]混匀(Ⅱ),把(Ⅰ)和(Ⅱ)混合于育晶瓶中(去离子水的总量为育晶液总量的65-75%),然后把育晶瓶置于恒温槽内育晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/89107151.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top