[发明专利]可关断的半导体元件

摘要

在具有直接压力接触的可关断的GTO型半导体元件中，使阳极金属化与阴极侧的栅-阴结构相匹配，可在指条状阴极(7)的区域内实现局部压力平衡，改善了交流负载电阻，并扩大了允许压力范围。

主权项

1、一种可关断的半导体元件，它包括：(a)含有不同掺杂层(2a-2d)的半导体晶片(2)，这些层被安排在阳极和阴极之间，并由它们形成由栅关断的栅关断晶闸管(GTO)；(b)在半导体晶片(2)的阴极侧上的精细分开的栅一限结构，该结构的许多类似岛状的指条状阴极(7)被栅极区所环绕。(c)指条状阴极(7)上的阴极金属化；(d)半导体晶片(2)的阳极侧的阳极金属化，以及(e)阳极接触(3)和阴极接触(1)，这两个接触分别被压到阳极金属化(4)上，或以许多局部有限的区域压到阴极金属化上，以实现接触，其特征在于：(f)阳极金属化(4)具有精细分开的结构，使得阳极接触(3)也以许多局部有限的区域压到阳极金属化上；以及(g)被阳极接触(3)所压的区域设置在被阴极接触(1)所压的区域的对面。