[发明专利]在结构金属中形成高温阻挡层以使该金属在高相对温度下具有抗蠕变性的方法无效
| 申请号： | 89107597.6 | 申请日： | 1989-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1020239C | 公开（公告）日： | 1993-04-07 |
| 发明（设计）人： | 格哈德·E·韦尔施 | 申请（专利权）人： | 格哈德·E·韦尔施 |
| 主分类号： | C22F3/00 | 分类号： | C22F3/00;C23C14/48;C23F17/00;B32B15/01 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在结构金属中形成内部高温阻挡层的方法被公开。该阻挡层可防止结构金属内的位错及晶界运动，使结构金属在高相对温度下具有抗蠕变性。该方法包括提供第一层结构金属，向该层注入离子，在离子注入的第一层上施加第二层结构金属以形成层状产物。注入和加层步骤可反复进行任意多次。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 金属 形成 高温 阻挡 相对 温度 具有 变性 方法 | ||
【主权项】：
1.在结构金属内形成内部高温阻挡层以防止晶界和位错移动从而使所说的结构金属在高相对温度下产生抗蠕变性的方法，该方法包括下述步骤：提供第一层结构金属，所说的结构金属类型为在高相对温度下趋于蠕变，且对由氙、氦、氖、氩、氪、钾、铷、铯和钫所构成的元素组具有零或低的溶解度；向所说的第一层金属中注入离子形成注入区，所说的离子是由元素氙、氦、氖、氩、氪、钾、铷、铯、钫及其混合物所构成的组中的成员；且在第一离子注入层上加第二结构金属层形成复合物，注入区掩盖于复合物中。
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