[发明专利]等离子体加工方法无效
| 申请号： | 89107899.1 | 申请日： | 1989-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1029991C | 公开（公告）日： | 1995-10-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;林茂则;石田典也;佐佐木麻里;竹山顺一;伊藤健二;小政弘;角野真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/34;C03C17/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 齐曾度 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基体上形成金刚石膜的方法，该方法包括以下步骤：在所述基体上覆盖一层掩蔽膜；除所述基体上已被所述掩蔽膜覆盖的部位之外，将其余表面划出伤痕；除掉所述掩蔽膜；将所述基体置于一个反应室中；通过在该反应室中进行汽相化学反应，在所述基体的经划痕表面上生长一层金刚石膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/89107899.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于控制真菌的植物保护剂
- 下一篇：脱乙酰几丁质乙酸酯/甲酸的纤维
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
