[发明专利]改善金属基质复合体性能的方法无效
| 申请号： | 89108088.0 | 申请日： | 1989-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1042500A | 公开（公告）日： | 1990-05-30 |
| 发明（设计）人： | 马克·S·纽科克;安德鲁·W·乌尔库哈特;米切尔·K·阿赫嘉尼安;马克·G·莫登松 | 申请（专利权）人： | 兰克西敦技术公司 |
| 主分类号： | B22D19/14 | 分类号： | B22D19/14;B22D19/02;C22C1/09;C22C1/04;C22C32/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过一种后成型处理和/或基本接近的改善处理来改善金属基质复合体性能的方法。这种后成型处理可以适用于用各种方法生产的各种金属基质复合体，并且特别适用于改善通过自发渗透方法生产的金属基质复合体的性能。这种基本接近的改善处理也主要用于根据自发渗透方法生产的金属基质复合体。特别是，在这种成型工艺过程中和/或其之后，改善或改变至少一部分金属基质复合体的基质金属和/或金属基质复合体的填料。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属 基质 复合体 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生产金属基质复合体的方法，该方法包括：提供一种包括选自基本非反应性填料的疏松体和包括成型的基本非反应性填料的预型体中的至少一种材料的物体；用熔融基质金属自发地渗透所说物体的至少一部分；使所说物体或所说基质金属的至少一部分与一种组成不同于所说基质金属的第二种金属相接触，由此改善渗透体的至少一种性能，以及使其中含有所说基质金属和第二种金属的所说的渗透体冷却，由此形成一种金属基质复合体。
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