[发明专利]制造太阳能电池阵列的方法无效
| 申请号： | 89108107.0 | 申请日： | 1986-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1012778B | 公开（公告）日： | 1991-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱尔斯·D·利维;米勒德·J·詹姆;罗纳德·E·汉尔;戴维·E·瓦特 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 周佩中 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种蚀刻硅材料的方法，它包括a)提供所述硅材料；b)用覆盖了自然氧化物的铝掩蔽所述材料的一部分，使其不被蚀刻；c)用对于所述氧化物相对呈惰性的蚀刻剂蚀刻所述材料。所述蚀刻剂由氧化氢、硝酸和冰醋酸组成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在制作太阳能电池阵列过程中蚀刻硅材料的方法，其特征在于，它包括下列步骤：a)提供待蚀刻的硅材料；b)用覆盖了自然氧化物的铝掩蔽所述材料的一部分，使其不被蚀刻。c)用对于所述氧化物相对呈惰性的蚀刻剂蚀刻所述材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
