[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置无效
申请号: | 89108774.5 | 申请日: | 1989-11-24 |
公开(公告)号: | CN1026133C | 公开(公告)日: | 1994-10-05 |
发明(设计)人: | 松山深照 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48;C23C16/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 邓明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 连续在基片上淀积功能膜的激波GVD装置包括膜形成室,该膜形成室具有用腐蚀气体清洗微波输入窗的腐蚀室;所述微波输入窗包括有多个叠置的微波传输窗,其中一个微波传输窗在膜形成空间中裸露,且可在膜形成室与腐蚀室之间运动,以使先前在膜形成室中使用过的微波传输窗被清洗,清洗方式是,在膜形成室中进行形成膜工作的同时,在腐蚀室中用腐蚀气体腐蚀掉淀积在微波传输窗上的膜。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于在基片上连续形成功能淀积膜的微波等离子体化学汽相沉积装置,包括:(a)具有其中设置有基片支撑装置的膜形成空间的基本封闭的膜形成室;该膜形成室包括:(b)将膜形成原料气体送到膜形成空间去的装置;(c)对所述膜形成空间抽真空的装置;(d)与微波功率源相连的微波输入窗装置;(e)用于用腐蚀性气体清洗所述微波输入窗口的腐蚀室;所述腐蚀室包括:(f)一腐蚀空间;(g)将所述腐蚀原料气体送入所述腐蚀空间(f)的装置;以及(h)用于将激活能施加到所述腐蚀空间(f)以激发所述腐蚀原料气体使其转变为所述腐蚀气体的装置,所述微波等离子体化学汽相沉积装置的特征在于所述微波输入装置(d)包括:1)至少一个固定的圆柱形微波传输窗;2)与至少一个固定窗同轴设置的一个圆柱形可动微波传输窗,以及3)使所述圆柱形可动微波传输窗2)在所述膜形成室(a)和所述腐蚀室(e)之间转动的装置,从而通过用所述腐蚀室中的腐蚀气体腐蚀掉沉积在所述可动微波传输窗2)上的膜来在所述腐蚀室(e)中清洗所述可动微波传输室2)的一部分,并将所述可动微波传输室2)的第2个腐蚀过的部分从所述腐蚀室(e)旋转到所述膜形成室(a)中的一个位置上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的