[发明专利]多取代的低聚硅氮烷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 89108970.5 申请日: 1989-12-02
公开(公告)号: CN1043722A 公开(公告)日: 1990-07-11
发明(设计)人: 提罗·瓦斯 申请(专利权)人: 赫彻斯特股份公司
主分类号: C08G77/62 分类号: C08G77/62
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 张元忠
地址: 联邦德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及新的多取代的低聚硅氮烷及其制备方法。本发明的低聚硅氮烷可继续与氯硅烷反应,生成聚氯硅氮烷,后者又可先变成聚硅氮烷,然后生成含有氮化硅的陶瓷材料。
搜索关键词: 取代 低聚硅氮烷 及其 制备 方法
【主权项】:
1、制备低聚硅氮烷的方法,其特征在于:将过量的氨于-70°~+100℃与一种原料反应,该原料至少含有两种组分(Ⅰ)R1R2SiCl2和(Ⅱ)Cl2R3SiCH2CH2SiR3Cl2中的一种,以及至少含有两种组分(Ⅲ)R4SiCl3和(Ⅳ)Cl3SiCH2CH2SiR3Cl2中的一种,式中R1、R2、R4各自为H,C1~C6烷基或C2~C6链烯基;R3,R5各自为C1~C6烷基或C2~C6链烯基;在原料中,(Ⅰ)或(Ⅱ)或其混合物占的摩尔百分比为30~99%,其中应避免只含有(Ⅰ)和(Ⅱ)的混合物与氨的反应。
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