[发明专利]多取代含氯硅氮烷聚合物的制备方法无效
| 申请号： | 89108979.9 | 申请日： | 1989-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1033167C | 公开（公告）日： | 1996-10-30 |
| 发明（设计）人： | 蒂洛·韦赫斯;马塞勒斯·波科特;马丁·布鲁克 | 申请（专利权）人： | 赫彻斯特股份公司 |
| 主分类号： | C08G77/62 | 分类号： | C08G77/62;C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张元忠 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及到一种新的多取代含氯硅氮烷聚合物，其制备方法及进一步加工成含氮化硅的陶瓷材料以及这种材料本身。本发明的多取代含氯硅氮烷聚合物可通过与氨反应生成聚硅氮烷，从它又可热解成含氮化硅的陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 取代 含氯硅氮烷 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.制备多取代含氯硅氮烷聚合物的方法，其特征在于，用式(I)所示的低聚硅氮烷(其中下标a，b中的至少一个和下标c，d中的至少一个不等于o而n为2至12)，与氯硅烷C12R6Si-CH2CH2-SiR6Cl2，C13Si-CH2CH2-iSR7C12，R8SiCl3或R9SiHCl2中的至少一种在30℃至300℃下反应而成，其中R1，R2，R4相互独立地是H，C1-C6烷基或C2-C6链烯基而R3、R5、R6、R7、R8、R9相互独立地是C1-C6烷基或C2-C6链烯基。
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