[实用新型]双室旋转磁控溅射镀膜机无效

专利信息
申请号: 89215781.X 申请日: 1989-09-05
公开(公告)号: CN2075655U 公开(公告)日: 1991-04-24
发明(设计)人: 王贵义;王世忠 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 核工业专利法律事务所 代理人: 刘世权
地址: 四川省乐山*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 迄今在市场上销售的镀膜机,无例外的都是单室机。本发明的双室旋转磁控溅射镀膜机是对单室磁控溅射镀膜机的改进。两个镀膜室通过预抽真空管道和蝶阀、高真空三通管道和闸板阀组成一个整体。两室交替的使用一套真空抽气机组和一套电源控制系统,其工作效率相当于两台单室机,但比两台单室机节约电能40%以上,而造价却比两台单室机低30%。由于发明了旋转磁控溅射靶系统,使靶材表面溅射和刻蚀均匀,靶材的利用率由原来的20%左右提高到了现在的74%。
搜索关键词: 旋转 磁控溅射 镀膜
【主权项】:
1、一种由镀膜室、镀膜室底座、磁控溅射源系统、真空系统和电源控制系统组成的双室旋转磁控溅射镀膜装置,其特征是镀膜室为共用一套真空抽气机组和一套电源控制系统的双室结构;镀膜室的磁控溅射源是旋转磁控溅射源,它是一种圆柱形管状靶,在其内与轴平行地安置着数根条形磁钢,而且整个磁体具有转动机构,其转速>1转/分。
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