[实用新型]宽束冷阴极离子源无效
| 申请号： | 89217519.2 | 申请日： | 1989-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN2053796U | 公开（公告）日： | 1990-02-28 |
| 发明（设计）人： | 严一心;夏慧琴;卢进军;王树棠;刘吉祥;刘卫国 | 申请（专利权）人： | 西安工业学院 |
| 主分类号： | H01J27/04 | 分类号： | H01J27/04 |
| 代理公司： | 国家机械委军工专利事务所 | 代理人： | 王松山 |
| 地址： | 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型是宽束冷阴极离子源，用于薄膜离子束辅助淀积的装置，其主要部件是冷阴极、阳极和一个以上多孔引出栅组成的放电室，放电室处于永磁体形成的磁场中，该离子源可安装于各类真空镀膜机中，具有离子束束流密度和离子能量调节范围大，束径大，束流分布均匀，寿命长，性能受工作气体种类影响小。本实用新型结构简单，制造容易，使用方便，并广泛使用于铝、银、金、硫化锌、氟化镁及多种氧化物薄膜的离子束辅助淀积，比用常规工艺制得的薄膜强度高，化学稳定性和光学稳定性优良。 | ||
| 搜索关键词： | 宽束冷 阴极 离子源 | ||
【主权项】：
1、一种宽束冷阴极离子源，由冷阴极[1]，阴极座[6]，阳极[2]、永磁体[5]和一个以上的多孔引出栅[3]、[4]组成，其特征在于采用阳极径向尺寸10～200mm，截面为园形、椭园形和多边形的柱状或锥状；离子束引出系统由一个以上的多孔引出栅构成；阳极、冷阴极和多孔栅构成放电室；放电室周围放置钴合金永磁体。
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