[发明专利]一种用半导体技术加工制作表盘的方法无效
| 申请号： | 90100145.7 | 申请日： | 1990-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1020507C | 公开（公告）日： | 1993-05-05 |
| 发明（设计）人： | 严化平 | 申请（专利权）人： | 严化平 |
| 主分类号： | G04B19/06 | 分类号： | G04B19/06;C23C14/14;C23C14/10;C23C16/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132001 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用半导体加工技术制作表盘的工艺方法，该方法包括应用溅射、真空蒸发、氧化、气相淀积等工艺方法在表盘基片形成具有装饰性的彩色薄膜，之后应用光蚀刻工艺方法在该薄膜层上刻蚀形成表盘计时刻度、文字、商标、图案和微雕艺术。用本方法制作的表盘可获得工艺精细，图文准确，表面光亮，色彩丰富的具有良好装饰性的表盘产品。尤其是可利用报废的半导体硅、锗晶片制作表盘，具有利旧利废，制造工艺简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 技术 加工 制作 表盘 方法 | ||
【主权项】：
1、一种加工制作表盘的工艺方法，包括表盘基片的制作，其特征在于本表盘的加工制作还应用了半导体加工工艺技术，该工艺方法为：a应用溅射、真空蒸发、氧化、气相淀积等工艺方法在表盘基片上形成薄膜层，b应用光蚀刻技术在a中所说表盘基片薄膜层上进行光蚀刻，该工艺包括：(b1)在薄膜层上涂复光致抗蚀剂(b2)掩膜，(b3)曝光，(b4)用腐蚀液进行腐蚀处理。
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