[发明专利]掺金离子镀氮化钛技术及设备无效
申请号: | 90100341.7 | 申请日: | 1990-01-24 |
公开(公告)号: | CN1053645A | 公开(公告)日: | 1991-08-07 |
发明(设计)人: | 田大准;周以仁;汪小平;田美风;刘振忠 | 申请(专利权)人: | 机械电子工业部北京机械工业自动化研究所 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 10001*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 掺金离子镀氮化钛技术及设备属于真空离子镀技术领域。本发明的目的在于提供一种新的,低成本,高质量的掺金氮化钛镀膜方法。镀黄金制品成本高,不耐磨。一般仿金制品效果差,且不耐磨,氮化钛仿金耐磨但发青色与黄金色有区别。本发明利用离子镀技术实现氮化钛掺金,膜层有黄金一样的光泽,还具有一定耐磨性能。 | ||
搜索关键词: | 离子镀 氮化 技术 设备 | ||
【主权项】:
1、一种掺金离子镀氮化钛的方法,包括被镀工件首先严格清洗,放入镀膜室予抽真空达10-3以上,利用磁控电弧法在工件表面镀TiN膜,再使坩埚中的黄金蒸发并参加电离,使TiN膜上镀一层结合牢固的金膜,特征在于:镀膜时采用变真空度的方法和在金膜上镀一层薄TiN膜。
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