[发明专利]一种含铋的石榴石磁光单晶材料的制造方法无效
| 申请号： | 90100951.2 | 申请日： | 1990-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1020388C | 公开（公告）日： | 1993-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李顺方;张鹏翔;刘玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/00;G02B1/02 |
| 代理公司： | 中国科学院物理研究所专利办公室 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性材料制备方法，特别是制备用于通讯，光学测量系统中的磁光单晶材料制备方法领域。本发明方法不含有铅，用Bi2O3做助熔剂，用铋取代稀土，按Bi3-2xCa2x[Fe2-yMy1](Fe3-xMx2)O12组成配比，经混合、研磨高温烧结用Bi2O3做助熔剂，制备含铋的铁石榴石的无铅制备方法。该方法使烧结温度降低，消除了铅的污染，并大大提高了单晶材料的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石榴石 磁光单晶 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含铋的铁石榴石磁光单晶材料的无铅制造方法，其特征在于：含铋的铁石榴石磁光单晶材料由Bi3-2xCa2x[Fe2-yMy1](Fe3-xMx2)O12组成，其成份配比为：CaCo3V2O5Fe2O3InO3Bi2O328-3510-525-330-426-33Bi2O3作为助熔剂；原料经混合研磨5小时，放入白金坩埚内压紧后装入硅炭棒炉中，升温至1150℃1250℃后保温5-15小时，再以0.2-2.0度/小时速度降温至900℃断电，让其自然冷却到室温。
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