[发明专利]高介电常数低介电损耗膜无效
| 申请号： | 90102967.X | 申请日： | 1990-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1016911B | 公开（公告）日： | 1992-06-03 |
| 发明（设计）人： | 毛立钧;陈家华 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01B3/30 | 分类号： | H01B3/30;H01B3/28;H01G4/20 |
| 代理公司： | 同济大学专利事务所 | 代理人： | 陈龙梅,陈树德 |
| 地址： | 200092*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 高介电常数低介电损耗膜，属于电气行业中制作电容器和绝缘材料的高分子聚合物共混薄膜材料。该高分子共混材料由聚丙烯和丁腈橡胶(腈含量26-35％)在混炼机中充分混合而制得，将制得的共混物破碎后模压或挤出压延以及双向拉伸制得各种符合规格的薄膜，经测试该薄膜的介电常数高达4.21，介电损耗低于3×10-3，且具有良好的加工性能，用本发明的薄膜制成的电容器，其体积减小54％。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 低介电 损耗 | ||
【主权项】：
1.一种用于电容器的高介电常数低介电损耗薄膜，其特征是由60～80％的聚丙烯和20～40％的丁腈橡胶组成的薄膜，所述的丁腈橡胶，其中腈的含量为26～35％。
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