[发明专利]一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 90104888.7 | 申请日： | 1990-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1040577C | 公开（公告）日： | 1998-11-04 |
| 发明（设计）人： | 涂相征;李韫言 | 申请（专利权）人： | 涂相征;李韫言 |
| 主分类号： | G01K17/06 | 分类号： | G01K17/06;G01F1/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市91*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法，该传感器的特点是采用隔热作用的硅膜，硅膜悬在将硅片局部挖空而形成的空腔上，并由腔体壁所支撑，用作加热器的硅电阻器和热探测器的Ｓｉ／Ａｌ热偶堆分别制作在硅膜上。硅膜是采用扩散或离子注入、硅外延、阳极氧化、腐蚀多孔硅、物理或化学气相淀积绝缘介质等技术制备的。本方法制作的器件，灵敏度高，响应速度快且有利于集成、降低成本和大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 硅膜热 流量传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成热流量传感器，其中包括在硅衬底上制备的具有隔热作用的薄膜，在薄膜上制作的加热器和热探测器，以及在薄膜边缘的硅衬底上制作的加热电流控制电路和讯号放大电路，其特征在于本发明的上述的具有隔热作用的薄膜为在其上制作半导体元器件的硅膜，在薄膜上制作的加热器和热探测器分别为在硅膜上制作的硅电阻器和Si/Al热偶堆，硅膜悬在将硅片局部挖空而形成的空腔上，并由腔体壁所支撑。
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