[发明专利]多组元金属氧化物薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 90105788.6 | 申请日： | 1990-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1024146C | 公开（公告）日： | 1994-04-06 |
| 发明（设计）人： | 肖定全;肖志力;朱居木;郭华聪;谢必正 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/08 |
| 代理公司： | 四川大学专利事务所 | 代理人： | 侯绍桂 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用多离子束反应共溅射装置制备金属氧化物薄膜的方法，采用四个离子源，其中三个为溅射离子源，对着衬底的第四个离子源在成膜前对衬底进行预溅射清洗，并在成膜过程中进行动态混合，通过使衬底加热、旋转，经由专门的通气管或(和)经由第四个离子源通过反应氧气，在不同衬底材料上在位生产制备均匀优质的外延或择优取向的单元、双元和多组元金属氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多组元 金属 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用多离子束反应共溅射装置制备金属氧化物薄膜的方法，其特征是采用四个离子源，其中三个为溅射离子源，对着衬底的第四个离子源在成膜前对衬底进行预溅射清洗，并在成膜过程中进行动态混合，通过使衬底加热、旋转，经由专门的通气管或(和)经由第四个离子源通入反应氧气，并通过控制和调节下列条件及参数：(1)靶直径Φ60mm(2)靶与衬底之间的距离120mm(3)本底真空度4×10-4Pa(4)工作气体Ar/O2＝1/0.2-1/1(5)工作气压3-8×10-2Pa(6)衬底转速10-120转/分(7)衬底温度550-750℃(8)成膜速率100-200A/分钟(9)溅射离子源能量0.3-1.2KeV(10)溅射离子源束流密度2-12mA/cm2(11)溅射靶个数1-3即可在位生长制备出具有择优取向或外延生长的单元、双元和多组元金属氧化物薄膜。
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