[发明专利]磁光记录介质无效
| 申请号： | 90107062.9 | 申请日： | 1990-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1019242B | 公开（公告）日： | 1992-11-25 |
| 发明（设计）人： | 加藤喜峰;清水照久;高山新司;田中宏志 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B11/10 | 分类号： | G11B11/10;G11B7/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁光记录介质在第二层磁性膜上叠上第一磁性膜层，该第一磁性膜层是主要以轻的稀土元素为稀土元素的稀土-过渡-金属非晶膜，该轻的稀土元素至少是一种从由Nd及Pr构成的一组元素中选出的元素，而第二种磁性膜层是至少一种从由Tb及Dy组成的一组元素中选出的稀土元素的稀土-过渡-金属非晶膜。第一层磁性膜的厚度(t1)与第二磁性膜的厚度(t2)的厚度比值(t1/t2)等于或小于0.5。该介质即有强克尔旋转效应又有强垂直方向的各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁光记录介质，其特征在于：在一个基底上，在第二磁性膜层上层叠了第一磁性膜层，或在第一磁性膜上层叠了第二磁性膜层，第一磁性膜层是稀土-过渡-金属的非晶膜，其组成用通式(A1-aBa)I(FebCo1-b)mTn表示，其中A至少是一种从包括Nd和Pr的一组轻的稀土元素中选出的元素，B至少是一种从一组重的稀土元素中选出的元素，T至少是一种从一组用于增加抗腐性的过渡族金属元素中选出的元素，在百分比方面，0≤a≤0.5，0≤b≤1，10≤I≤50，50≤m≤90，0≤n≤15，以及I+m+n＝100，第二磁性膜层是稀土-过渡-金属非晶膜，其组成用通式RxMyUz表示，其中R至少是一种从由Tb及Dy组成的一组元素中选出的元素，M至少是一种从由Fe及Cn组成的一组元素中选出的元素，U至少是一种从由增加抗腐蚀性的一组过渡族金属元素中选出的元素，在原子百分比上，15≤x≤35，65≤Y≤85，0≤z≤15，以及X+Y+Z＝100，而且第一层磁性膜层的厚度(t1)与第二磁性膜层的厚度(t2)的比值(t1/t2)等于或小于0.5。
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