[发明专利]硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法无效
| 申请号： | 90107176.5 | 申请日： | 1990-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1017487B | 公开（公告）日： | 1992-07-15 |
| 发明（设计）人： | 徐岳生;张维连;任丙彦;鞠玉林;李养贤;梁金生 | 申请（专利权）人： | 河北工学院 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/324;C30B33/02 |
| 代理公司： | 天津市机械工业管理局专利事务所 | 代理人： | 李国茹,李风 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法。该方法是将达到器件目标电阻率的硅单晶先用快中子流照射，然后进行硅片加工，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉内，在高纯气氛的保护下，随炉升温到该工序要求的温度，进行第一道热工序。该工序结束后，随即完成了对硅片缺陷的控制。该方法可大大节省工时和能耗，提高成品率，改善器件电参数，对N型、P型、重掺硅都适用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 硅片 缺陷 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法，该方法包括下列工艺步骤：a.将达到器件目标电阻率的硅单晶先用通量为5×1014～1×1018n/cm2的快中子流照射2～15小时；b.将硅单晶加工成硅片，清洗处理；c.将硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉腔内，在高纯气氛的保护下，随炉生温到该工序要求的温度1030～1200℃，进行第一道热工序；d.第一道热工序结束后，出炉自然冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
